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褚君浩

   日期:2021-12-14    

中国能源学会——执行副会长

褚君浩同志简历





      褚君浩,半导体物理和器件专家。中国科学院上海技术物理研究所研究员。1945年3月生于江苏宜兴。1966年毕业于上海师范学院物理系,1981年和1984年先后获中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位。现任中国科学院上海技术物理研究所科技委副主任、中国能源学会副会长。2005年当选为中国科学院院士。    

     中国半导体物理和器件专家。备受社会关注的中国科学院2005年院士增选结果揭晓,宜兴籍学者褚君浩成为51名新增中国科学院院士之一,也是宜兴籍中国科学院(中国工程院)两院院士的第21位。褚君浩院士是我国半导体物理和器件专家,中国科学院上海技术物理研究所研究员。1945年3月生于江苏宜兴。1966年毕业于上海师范学院(现上海师范大学)物理系,1981年和1984年先后获得中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位。现任中国科学院上海技术物理研究所科技委副主任,华东师范大学信息科学技术学院院长,第十届全国人大代表。  

     褚君浩院士长期从事红外光电子材料和器件的研究,开展了用于红探测器的窄禁半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽等关系式,被国际上称为CXT公式,广泛引用并认为与实验结果最符合;建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型;发现了HgCdTe的基本光电跃迁特性,确定了材料器件的光电判别依据;开展了铁电薄膜材料物理和非冷红外探测器研究,研究成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像,为中国物理科学和研究作出了重大贡献。   

     中科院上海技术物理研究所研究员,博士生导师,红外物理国家重点实验室主任。德国慕尼黑技术大学篁系洪堡研究成员。兼任“红外与毫米波学报”主编,并兼任上海应用物理研究中心副主任、中国物理学会光物理专业委员会副主任、上海物理学会光物理专业委员会主任、上海激光学会副理事长。上海市第11届人民代表。主要研究固体物理、窄禁带半导体物理。系统研究了窄禁带半导体的基础物理,在光学性质、电学性质、能带结构、晶格振动、杂质缺陷、二维电子气研究方面取得系统的研究成果,HgCdTe基础物理部分研究成果具有国际领先水平。提出的禁带宽度公式被国际上称为CXT公式(褚、徐、汤)。

 
 
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