葛昌纯 中国科学院院士

葛昌纯自1953年起长期从事粉末冶金和先进陶瓷等的研究。01年当选中科院院士，04年当选世界陶瓷科学院院士。获国家发明一等奖1项；省、部、学会级二等科技进步奖3项；三等科技进步奖2项，发明专利22 项，发表论文200余篇，与韩凤麟合著《钢铁粉末生产》一书，培养博士生26名，硕士生60余名，为我国的材料科学做出了重大贡献。

一．1960-1985年，他创建了我国第一个比较完整的包括金属和非金属、粉末合成、材料制造和性能检测的纳米材料实验室，研制成功用于生产浓缩铀的复合分离膜。他分析推导了复合分离膜的特性参数和结构参数之间的一系列关系式，提出了一条独特的制造复合分离膜的工艺路线，是国家发明一等奖“乙种分离膜的制造技术”的第一发明人，部科技成果奖“戊种分离膜的制造技术”的第一完成人。

二．首次对氮化硅采用无毒性复合氮化物助烧剂用以取代氧化物助烧剂，减少了玻璃相并提高其粘度，提高了材料的高温强度和抗氧化性能。研制成功高性能且通用性很强的氮化硅基陶瓷刀片。已为企业创效益1亿元以上。获部级科技进步奖两项和发明展奖三项。

三．自蔓延高温合成 (SHS) 研究方面，首次以低于3MPa氮压合成氮化硅；合成大尺寸（?20×220mm）氮化硅; 合成Mg₃N₂和Si₃N₄/MgSiN₂; 提出氮化机理和活性稀释剂的新概念, 制成一系列新型复相陶瓷如：Si₃N₄/TiC/TiCN, AlN/ZrN/Al₃Zr。发表论文40余篇。获发明专利5项和市科技进步奖。

四．首次把SHS技术应用于异相接枝聚合领域，制备成功淀粉接枝丙烯酸氨高分子吸水材料和用于生物大分子和药物分离的多孔聚合物整体。三篇论文影响因子为4.95、5.01和6.779。获发明专利6项。他是第一次被邀在国际SHS系列会议上做1小时大会特邀报告的中国学者。

五．1991年以来开展了功能梯度材料和面向等离子体材料的研究，深入研究了弹塑性有限元分析和优化设计，突破6项关键制备技术，研制出6种第一壁材料（其中5种未见报导），发明了“超高压通电烧结技术”，同时解决了在?0mm×<10mm试样中，（1）两种熔点差别很大的材料焊在一起（2）纳米粉在烧结时晶粒迅速长大这两大难题。获发明专利6项。08年获学会科学技术奖。